شبیه سازی مدارهای دیجیتال شبیه ساز منطقه vls
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شریف
- نویسنده پروین پشوتنی زاده
- استاد راهنما
- سال انتشار 1369
چکیده
یک شبیه ساز مدارهای الکتریکی و دیجیتالی جهت تحقیق در رفتار مدار پس از طراحی و قبل از مرحله ساخت می باشد. این کار اصولا با مدل کردن یک سیستم، اعمال شرایط محیط به آن عنوان ورودیهای سیستم، و دریافت و مشاهده خروجیهای سیستم صورت می گیرد. دراین پژوهش روشهای آنالیز و شبیه سازی مدارهای دیجیتال مورد بررسی قرار گرفته و در رابطه با یک سیستم شبیه سازی مدارهای منطقی به نام vls که بر روی کامپیوتر ibm پیاده شده است ، توضیح داده می شود. این شبیه ساز با استفاده از الگوریتم زمانبندی رویدادها (event scheduling) نوشته شده و مزیت آن نسبت به دیگر شبیه سازها، بصری بودن این سیستم و نحوه ارتباط محاوره ای (interactive) و سریع با آن است . در آینده می توان ازاین سیستم جهت بررسی مسائل تشخیص و تحمل خرابی و شبیه سازی کشف خطا (fault detection) استفاده نمود.
منابع مشابه
طراحی یک شبیه ساز سطح سوییچ جهت مدل کردن تاخیر نامعلوم در مدارهای دیجیتال
در این پروژه یک شبیه ساز سطح سوییچ برای شبیه سازی تاخیر نامعلوم طراحی و ساخته شده است . اهمیت شبیه سازی تاخیر نامعلوم بالا رفتن دقت زمانبندی مدار می باشد. زبان مورد استفاده در شبیه سازی فرامین سطح سوئیچ زبان verilog می باشد که برای مقصود مورد نظر توسیع یافته است . برای شبیه سازی تاخیر نامعلوم از سه روش استفاده شده است : -1 استفاده از مقدار نامعلوم -2 استفاده از آمار و احتمال -3 استفاده از منطق ...
15 صفحه اولشبیه سازی کامپیوتری مدارهای خردایش کلینکر کارخانه سیمان اردبیل
کاربرد آسیاهای لوله ای چنداطاقکی در مدار بسته با یک جدا کننده هوایی تجربه ای بسیار معمول برای خردایش کلینکر در کارخانه های سیمان است. کارخانه سیمان اردبیل که فراورده ی آن سیمان پوزولانی می باشد نیز از چنین مدارهایی برای خردایش مخلوط کلینکر، پوزولان و گچ با درصد های معین، برای تولید سیمان استفاده می کند. برای شبیه سازی مدارهای آسیاکنی سیمان این کارخانه نمونه های بسیاری از جریان های موجود در مدا...
متن کاملشبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شریف
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023